[发明专利]半导体发光芯片级封装在审
| 申请号： | 201510416589.8 | 申请日： | 2015-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104993029A | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 彭晖;眭世荣;黄映仪 | 申请（专利权）人： | 佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心;彭晖 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/48;H01L33/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528220 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明的半导体发光芯片级封装，包括，至少一个半导体发光外延层和覆盖物。其中，半导体发光外延层包括第一外延层、发光层和第二外延层，使得半导体发光外延层在通电后发光。覆盖物覆盖在半导体发光外延层的第一外延层上，并且覆盖半导体发光外延层的四个侧面。第一金属电极形成在第一外延层上，第二金属电极形成在第二外延层上。第一金属电极与第二金属电极在同一面上。覆盖物具有单层或多层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 芯片级 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体发光芯片级封装，其特征在于，所述半导体发光芯片级封装包括，至少一个半导体外延层和覆盖物；其中，所述外延层包括第一外延层、发光层和第二外延层，使得所述外延层在通电后发光；所述覆盖物覆盖在所述外延层的第一外延层上，并且覆盖所述外延层的四个侧面；第一金属电极形成在所述第一外延层上，第二金属电极形成在所述第二外延层上；所述第一金属电极与所述第二金属电极在同一面上；所述覆盖物具有单层或多层结构。
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