[发明专利]功率模块封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510415558.0 | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106298737B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 李锃;卢俊诚;王涛;万正芬;赵振清 | 申请（专利权）人： | 台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;赵根喜 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率模块封装结构及其制造方法，其中功率模块封装结构包含第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第一功率器件及第一控制器件。第一绝缘层配置于第一导电层上方。第二导电层配置于第一绝缘层上方。第一功率器件配置于第一导电层上。第一控制器件配置于第二导电层上，用以控制第一功率器件。第一导电层、第二导电层、第一功率器件与第一控制器件形成一回路，此回路中流经第一导电层的电流与流经第二导电层的电流方向相反。第一导电层与第二导电层会形成反向耦合的电磁场，从而降低第一导电层与第二导电层间的寄生电感量，以改善功率模块内产生的电压尖峰，提高功率模块乃至电力电子装置的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 模块 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率模块封装结构，其特征在于，包含：一第一导电层；一第一绝缘层，配置于该第一导电层上方；一第二导电层，配置于该第一绝缘层上方；一第一功率器件，配置于该第一导电层上；以及一第一控制器件，配置于该第二导电层上，用以控制该第一功率器件；其中，该第一导电层、该第二导电层、该第一功率器件与该第一控制器件形成一回路，该回路中流经该第一导电层的电流与流经该第二导电层的电流方向相反。
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