[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供具有相邻第一区域和第二区域的衬底，第一区域的衬底表面具有相邻的第一鳍部和第二鳍部，衬底表面具有隔离层，第一鳍部侧壁到第二鳍部侧壁的最小距离为第一距离；在隔离层表面形成掩膜层，掩膜层具有暴露出第一区域的开口，开口具有相对的第一侧壁和第二侧壁，第一鳍部侧壁到第一侧壁的最小距离大于第二鳍部侧壁到第一侧壁的最小距离，掩膜层的厚度除以第一鳍部侧壁到第一侧壁的最小距的值、大于第二鳍部顶部到隔离层表面的距离除以第一距离的值；自第一侧壁一侧对第一鳍部进行具有第一注入角度的第一轻掺杂注入，第一注入角度的正切值小于或等于掩膜层的厚度除以第二距离的值。所形成的半导体结构性能稳定。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底相邻的第一区域和第二区域，所述第一区域的衬底表面具有相邻的第一鳍部和第二鳍部，所述衬底表面具有隔离层，所述隔离层的表面低于所述第一鳍部和第二鳍部的顶部表面，且所述隔离层覆盖部分第一鳍部和第二鳍部的侧壁，高于或齐平于所述隔离层的第一鳍部侧壁到第二鳍部侧壁的最小距离为第一距离；在所述隔离层表面形成掩膜层，所述掩膜层具有暴露出第一区域隔离层、第一鳍部和第二鳍部的开口，所述开口具有相对的第一侧壁和第二侧壁，高于或齐平于所述隔离层的第一鳍部侧壁到第一侧壁的最小距离为第二距离，高于或齐平于所述隔离层的第二鳍部侧壁到第一侧壁的最小距离为第三距离，所述第三距离小于第二距离，且所述掩膜层的厚度除以所述第二距离的值、大于所述第二鳍部顶部到隔离层表面的距离除以所述第一距离的值；自所述掩膜层的第一侧壁一侧向所述第一鳍部进行第一轻掺杂注入，所述第一轻掺杂注入具有第一注入角度，所述第一注入角度的正切值小于或等于所述掩膜层的厚度除以所述第二距离的值。