[发明专利]一种晶体硅湿法氧化工艺有效
| 申请号： | 201510364840.0 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN104934315B | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 沈专;赵福祥;朱敏杰;徐世永;金起弘 | 申请（专利权）人： | 韩华新能源（启东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/316 |
| 代理公司： | 南通市永通专利事务所32100 | 代理人： | 葛雷 |
| 地址： | 226200 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅湿法氧化工艺，提供一种新的氧化化学溶液组分，通过更改去磷硅片工艺步骤顺序(依次包括上料、去磷硅玻璃、喷淋漂洗、边缘刻蚀、喷淋漂洗、碱洗、喷淋漂洗、湿法氧化、喷淋漂洗、干燥、下料等步骤)。本发明提供氧化化学溶液配方，合理的设计工艺，减少残留的磷硅玻璃等对氧化化学药液的影响，确保氧化钝化效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 湿法 氧化 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶体硅湿法氧化工艺，其特征是:依次包括以下步骤：(1)上料：将晶体硅片放入在线式湿化学设备轨道；(2)去磷硅玻璃：在室温条件下，将晶体硅片浸泡于HF溶液，去除晶体硅两面及各边的磷硅玻璃；(3)喷淋漂洗：纯水喷淋漂洗；(4)边缘刻蚀：用由HF酸、HNO3酸、H2SO4酸组成的刻蚀溶液进行边缘刻蚀；(5)喷淋漂洗：纯水喷淋漂洗；(6)碱洗：去多孔硅，中和酸；(7)喷淋漂洗：纯水喷淋漂洗；(8)湿法氧化：采用氧化化学溶液进行氧化处理；(9)喷淋漂洗：纯水喷淋漂洗；(10)干燥：高温压缩空气干燥；(11)下料，准备流入下道工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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