[发明专利]一种晶体硅湿法氧化工艺

权利要求书

1.一种晶体硅湿法氧化工艺，其特征是:依次包括以下步骤：

(1)上料：将晶体硅片放入在线式湿化学设备轨道；

(2)去磷硅玻璃：在室温条件下，将晶体硅片浸泡于HF溶液，去除晶体硅两面及各边的磷硅玻璃；

(3)喷淋漂洗：纯水喷淋漂洗；

(4)边缘刻蚀：用由HF酸、HNO₃酸、H₂SO₄酸组成的刻蚀溶液进行边缘刻蚀；

(5)喷淋漂洗：纯水喷淋漂洗；

(6)碱洗：去多孔硅，中和酸；

(7)喷淋漂洗：纯水喷淋漂洗；

(8)湿法氧化：采用氧化化学溶液进行氧化处理；

(9)喷淋漂洗：纯水喷淋漂洗；

(10)干燥：高温压缩空气干燥；

(11)下料，准备流入下道工序。

2.根据权利要求1所述的晶体硅湿法氧化工艺，其特征是：步骤(2)中，在室温条件下，将晶体硅片浸泡于浓度为1％～10％的HF溶液，去除晶体硅两面及各边的磷硅玻璃，表面为疏水状态。

3.根据权利要求1所述的一种晶体硅湿法氧化工艺，其特征是：步骤(3)中，在室温条件下，循环水由喷洒管注入，漂洗去除磷硅玻璃残留及HF酸。

4.根据权利要求1所述的一种晶体硅湿法氧化工艺，其特征是：步骤(5)中，在室温条件下，循环水由喷洒管注入，漂洗去除HF酸、HNO₃酸、H₂SO₄酸残留。

5.根据权利要求1所述的一种晶体硅湿法氧化工艺，其特征是：步骤(6)中，在温度20℃～25℃的条件下，用0.1％～6％的KOH溶液，去多孔硅，中和前道的酸，处理时间为10秒～60秒。

6.根据权利要求1所述的一种晶体硅湿法氧化工艺，其特征是：步骤(8)中，氧化化学溶液由下列质量百分比的成分混合组成，氯气0～1％；次氯酸0～3％；氯酸0～1％；盐酸0～20％；双氧水0～3％；臭氧0～2％；含氟表面活性剂全氟癸烯对氧苯磺酸钾盐0～0.5％；阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸钠0～0.5％；余量为水；氧化处理时，将上述氧化化学溶液与纯水按体积比1:1～20混合使用，氧化处理时间为5秒～90秒。

7.根据权利要求6所述的一种晶体硅湿法氧化工艺，其特征是：氧化化学溶液由下列质量百分比的成分混合组成，氯气0.1～1％；次氯酸0.1～3％；氯酸0.1～1％；盐酸0.1～20％；双氧水0.1～3％；臭氧0.1～2％；含氟表面活性剂全氟癸烯对氧苯磺酸钾盐0.1～0.5％；阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸钠0.1～0.5％；余量为水。

8.根据权利要求1所述的一种晶体硅湿法氧化工艺，其特征是：步骤(10)中，通过30℃～80℃的压缩空气干燥硅片表面。

9.根据权利要求1所述的一种晶体硅湿法氧化工艺，其特征是：步骤(4)中，刻蚀溶液中HF的浓度为1％～10％，HNO₃的浓度为10％～30％，H₂SO₄的浓度为10％～30％，余量为纯水，处理时间为60秒～130秒。