[发明专利]具有多聚氨基酸复合氧化铟锡纳米结构的宽光谱光探测器有效
申请号: | 201510349607.5 | 申请日: | 2015-06-23 |
公开(公告)号: | CN105006494B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 赵嵩卿;施宏杰;张际蕊;杨立敏;杨睿;赵昆 | 申请(专利权)人: | 中国石油大学(北京) |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/09;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 姚亮 |
地址: | 102249*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种具有多聚氨基酸复合氧化铟锡纳米结构的宽光谱光探测器。该光探测器包括:基底;氧化铟锡薄膜,设于所述基底的表面;氧化铟锡纳米结构,设于所述氧化铟锡薄膜的表面;两个电极,分别置于氧化铟锡薄膜两端;多聚氨基酸薄膜,与所述氧化铟锡纳米结构接触。本发明提供的宽光谱光探测器具有多聚氨基酸与氧化铟锡纳米结构相复合的结构,氧化铟锡光学性质优越,导电性能良好,无环境污染,通过采用氧化铟锡纳米结构合并一些氨基酸有机聚合物对氧化铟锡纳米结构上的光生伏特效应有大幅的增强效应。该宽光谱光探测器具有结构简单、制备成本低廉、探测光谱范围广、响应时间短等特点,具有很大的发展潜力。 | ||
搜索关键词: | 具有 氨基酸 复合 氧化 纳米 结构 光谱 探测器 | ||
【主权项】:
一种具有多聚氨基酸复合氧化铟锡纳米结构的宽光谱光探测器,其包括:基底;氧化铟锡薄膜,设于所述基底的表面;氧化铟锡纳米结构,设于所述氧化铟锡薄膜的表面;两个电极,分别置于氧化铟锡薄膜两端;多聚氨基酸薄膜,与所述氧化铟锡纳米结构接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国石油大学(北京),未经中国石油大学(北京)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510349607.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发光二极管封装结构
- 下一篇:分段拉花式焊带及其光伏组件和制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的