[发明专利]一种真空镀膜设备中Zn杂质元素的去除方法

摘要

本发明公开了一种真空镀膜设备中Zn杂质元素的去除方法，在沉积非微晶硅薄膜电池后再向反应腔中通入氧源气体、氢源气体和碳源气体，第一步向反应腔通入氢源气体和氧源气体，使氢源气体、氧源气体与Zn元素反应生成Zn的化合物，控制反应持续50～200秒之间，停止辉光放电，将残余气体抽出真空腔；第二步向反应腔通入碳源气体，使碳源气体与Zn元素反应生成Zn的化合物，控制气压在0.5～2mbar,反应持续50～200秒之间，停止辉光放电，将残余气体抽出真空腔；所述第一步和第二步交替进行。本发明的真空镀膜设备中Zn杂质元素的去除方法具有Zn杂质元素去除效果好、操作方便、成本低廉和生产效率高的特点。

主权项

一种真空镀膜设备中Zn杂质元素的去除方法，其特征在于：在沉积非微晶硅薄膜电池后再向反应腔中通入氧源气体、氢源气体和碳源气体，其具体步骤包括：第一步：向反应腔通入氢源气体和氧源气体，将反应腔的温度保持在100‑115℃之间，调节射频放电功率密度进行辉光放电对体系进行反应活化，控制气压在1.5‑3mbar，使氢源气体、氧源气体与Zn元素反应生成Zn的化合物，控制反应持续50‑200秒之间，停止辉光放电，将残余气体抽出真空腔；第二步：向反应腔通入碳源气体，将反应腔的温度控制在100‑115℃之间，调节射频放电功率密度进行辉光放电对体系进行反应活化，继续使碳源气体与Zn元素反应生成Zn的化合物，控制气压在0.5‑2mbar，反应持续50‑200秒之间，停止辉光放电，将残余气体抽出真空腔；所述第一步与第二步交替进行。