[发明专利]一种真空镀膜设备中Zn杂质元素的去除方法

权利要求书

1.一种真空镀膜设备中Zn杂质元素的去除方法，其特征在于：在沉积非微晶硅薄膜电池后再向反应腔中通入氧源气体、氢源气体和碳源气体，其具体步骤包括：

第一步：向反应腔通入氢源气体和氧源气体，将反应腔的温度保持在100-115℃之间，调节射频放电功率密度进行辉光放电对体系进行反应活化，控制气压在1.5-3mbar，使氢源气体、氧源气体与Zn元素反应生成Zn的化合物，控制反应持续50-200秒之间，停止辉光放电，将残余气体抽出真空腔；

第二步：向反应腔通入碳源气体，将反应腔的温度控制在100-115℃之间，调节射频放电功率密度进行辉光放电对体系进行反应活化，继续使碳源气体与Zn元素反应生成Zn的化合物，控制气压在0.5-2mbar，反应持续50-200秒之间，停止辉光放电，将残余气体抽出真空腔；

所述第一步与第二步交替进行。

2.根据权利要求1所述的真空镀膜设备中Zn杂质元素的去除方法，其特征在于：在进行去除Zn杂质元素操作步骤的第一步和第二步之前先通入NF₃和Ar气去除残余Si元素，并彻底排除残余气体。

3.根据权利要求1或2所述的真空镀膜设备中Zn杂质元素的去除方法，其特征在于：所述第一步和第二步的射频放电功率密度为10～60mw/cm²。

4.根据权利要求3所述的真空镀膜设备中Zn杂质元素的去除方法，其特征在于：所述氢源气体为H₂O气体，所述氧源气体的O₂，所述碳源气体为CO₂。

5.根据权利要求4所述的真空镀膜设备中Zn杂质元素的去除方法，其特征在于：所述氧源气体的流量为3～5 sccm，所述碳源气体的流量为3～5 sccm。