[发明专利]具有稳定结构的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510338054.3 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105374795B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 玄灿顺 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：包括交替层叠的导电层和绝缘层的层叠结构；被配置为穿过层叠结构的半导体图案；以及分别电耦合至导电层的接触插塞，其中每个导电层包括具有第一厚度的第一区域和电耦合至第一区域且具有比第一厚度更大的第二厚度的第二区域，并且下导电层的第二区域位于上导电层的第二区域之下。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 稳定 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：层叠结构，其包括交替层叠的导电层和绝缘层；半导体图案，其穿过所述层叠结构；以及接触插塞，其分别电耦合至所述导电层，其中，每个导电层包括具有第一厚度的第一区域，以及电耦合至所述第一区域且具有比所述第一厚度更大的第二厚度的第二区域，并且下导电层的第二区域位于上导电层的第二区域之下，使得所述上导电层的第二区域与所述下导电层的第二区域重叠。
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