[发明专利]VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件在审
| 申请号： | 201510333844.2 | 申请日： | 2015-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106257684A | 公开（公告）日： | 2016-12-28 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 娄冬梅;黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件，其中方法包括：在第一类型的基底内形成辅助沟槽和栅极沟槽，在辅助沟槽内形成第二类型的多晶硅层，在基底内且位于栅极沟槽的两侧形成第一类型的源区，在源区和多晶硅层的上表面形成金属层，源区和多晶硅层通过金属层连接，本发明提供的VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件，通过在辅助沟槽内填充多晶硅层，并且利用金属层使得多晶硅层与源区短接，辅助体区耗尽，增加了耗尽层的宽度，从而达到减小器件寄生电容的目的，与现有技术相比，仅需在刻蚀栅极沟槽的同时刻蚀辅助沟槽即可，无需增加工艺步骤，工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | vdmos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在第一类型的基底内形成辅助沟槽和栅极沟槽；在所述辅助沟槽内形成第二类型的多晶硅层；在所述基底内且位于所述栅极沟槽的两侧形成第一类型的源区；在所述源区和所述多晶硅层的上表面形成金属层，所述源区和所述多晶硅层通过所述金属层连接。
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