[发明专利]一种低掺杂浓度碳化硅外延的制备方法在审
| 申请号： | 201510328869.3 | 申请日： | 2015-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN104878445A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 钮应喜;王方方;杨霏 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国家电网公司;国网上海市电力公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低掺杂浓度碳化硅外延的制备方法，该方法包括以下步骤：1)外延腔体吹扫；2)缓冲层生长；3)腔体再吹扫；4)外延层生长。步骤1对外延腔体进行吹扫，能够有效的防止腔体内遗留杂质的记忆效应；步骤3对腔体的再次吹扫，能有效的降低缓冲层生长后高浓度杂质对碳化硅外延层掺杂浓度的影响，进而能够准确的控制外延层生长过程中的掺杂浓度。通过本发明方法制备的碳化硅外延材料浓度均匀，晶格质量好，可控性更好，批次间质量稳定，且成本投入低，利于工业化大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 浓度 碳化硅 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低掺杂浓度碳化硅外延的制备方法，该方法包括以下步骤：1)外延腔体的吹扫：于1200℃～1700℃下，以100～2000sccm的流量向腔体中通刻蚀气体至压力60～350mT；2)缓冲层生长：向减压下的、放置有净化处理的碳化硅衬底的外延腔中通入H2至104Pa压力，1500℃恒温5min后，通入生长及掺杂气体生长缓冲层；3)腔体再吹扫：于1500～1700℃下，以10～300sccm的流量向腔体中通刻蚀气体至20～200mT压力；4)外延层生长：于1500～1700℃下通入生长及掺杂气体生长外延层。
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