[发明专利]一种低掺杂浓度碳化硅外延的制备方法在审
| 申请号： | 201510328869.3 | 申请日： | 2015-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN104878445A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 钮应喜;王方方;杨霏 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国家电网公司;国网上海市电力公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 浓度 碳化硅 外延 制备 方法 | ||
1.一种低掺杂浓度碳化硅外延的制备方法，该方法包括以下步骤：
1)外延腔体的吹扫：于1200℃～1700℃下，以100～2000sccm的流量向腔体中通刻蚀气体至压力60～350mT；
2)缓冲层生长：向减压下的、放置有净化处理的碳化硅衬底的外延腔中通入H2至104Pa压力，1500℃恒温5min后，通入生长及掺杂气体生长缓冲层；
3)腔体再吹扫：于1500～1700℃下，以10～300sccm的流量向腔体中通刻蚀气体至20～200mT压力；
4)外延层生长：于1500～1700℃下通入生长及掺杂气体生长外延层。
2.根据权利要求1所述的低掺杂浓度碳化硅外延的制备方法，其特征在于所述刻蚀气体为从H2和HCl中选出的一种气体。
3.根据权利要求2所述的低掺杂浓度碳化硅外延的制备方法，其特征在于所述刻蚀气体为H2。
4.根据权利要求1所述的低掺杂浓度碳化硅外延的制备方法，其特征在于步骤1的所述吹扫的时间为100～6000s。
5.根据权利要求1所述的低掺杂浓度碳化硅外延的制备方法，其特征在于所述衬底材料为4H-SiC、6H-SiC、3C-SiC或15R-SiC。
6.根据权利要求1所述的低掺杂浓度碳化硅外延的制备方法，其特征在于所述衬底尺寸为3寸、4寸或6寸。
7.根据权利要求1所述的低掺杂浓度碳化硅外延的制备方法，其特征在于所述外延腔结构为水平式或垂直式。
8.根据权利要求1所述的低掺杂浓度碳化硅外延的制备方法，其特征在于所述生长气体中碳源为C2H4或C3H8，硅源为SiH4或SiHCl3。
9.根据权利要求8所述的低掺杂浓度碳化硅外延的制备方法，其特征在于所述生长气体包括HCl。
10.根据权利要求1所述的低掺杂浓度碳化硅外延的制备方法，其特征在于所述掺杂气体为N2或三甲基铝。
11.根据权利要求1所述的低掺杂浓度碳化硅外延的制备方法，其特征在于所述缓冲层的掺杂浓度为1015-1021cm-3。
12.根据权利要求1所述的低掺杂浓度碳化硅外延的制备方法，其特征在于步骤3所述吹扫的时间为10～60s。
13.根据权利要求1所述的低掺杂浓度碳化硅外延的制备方法，其特征在于所述外延层的掺杂浓度为1010-1020cm-3。
14.根据权利要求1所述的低掺杂浓度碳化硅外延的制备方法，其特征在于所述外延层的生长时间为1～120min。
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