[发明专利]一种制备蝴蝶翅膀仿生微纳结构的方法有效
申请号: | 201510327352.2 | 申请日: | 2015-06-15 |
公开(公告)号: | CN104934303B | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | 陈宜方;张思超;邵金海;陆冰睿 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/02;B81C1/00 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人: | 陆飞,盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于微纳加工技术领域,具体为一种制备蝴蝶翅膀仿生微纳结构的方法。本发明首先在硅基底上采用旋涂法依次交替旋涂两种不同灵敏度的光刻胶若干层,然后利用电子束光刻对光刻胶进行曝光,再利用两种显影液对曝光后的样品进行交替显影,最终制备得到具有优异特性的分级层次周期或准周期仿生微纳结构,如仿闪蝶磷翅微纳结构等。本发明结合多层胶技术与电子束光刻技术,制备过程中不需要生物模板,并且能够控制每层胶的旋涂厚度,实现对纵向树枝状周期和占空比的精确控制,制备工艺简单,能得到不同结构参数的蝴蝶磷翅仿生微纳结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 蝴蝶 翅膀 仿生 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种制备蝴蝶磷翅仿生微纳结构的方法,其特征在于具体步骤如下:(1)在Si基底表面旋涂上一层六甲基二硅胺HMDS;(2)再在Si基底上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯PMMA光刻胶,烘胶后,在基底上再旋涂一层剥离抗蚀剂LOR,烘胶;(3)重复步骤2若干个周期,最后在基底上旋涂一层PMMA,制备出多层光刻胶;(4)利用电子束曝光方法,将设计好的图形在多层光刻胶上曝光;(5)对曝光后的基底显影:先用PMMA显影液显影,去除第一层PMMA被曝光的部分,再用碱性溶液对抗蚀剂LOR显影,形成倒T形的显影截面;(6)重复步骤5若干个周期,直到最后一层PMMA被显影,即得到最终的蝴蝶磷翅仿生微纳结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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