[发明专利]检测和防止光攻击的系统和方法有效
| 申请号： | 201510325635.3 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN105280618B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 内森·欣德曼;马克·布尔 | 申请（专利权）人： | 安华高科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本公开涉及检测和防止光攻击的系统和方法，说明了用于检测电子设备中的光故障注入和/或防止光故障注入在电子设备中引起可利用异常的各种系统和方法。这些各种系统和方法可以包括能够检测或防止激光注入攻击的系统和方法，其可以包括一个或多个小尺寸互补金属氧化物硅(CMOS)光检测电路，或者可以屏蔽一个或多个晶体管不受底面激光注入攻击的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 防止 攻击 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，形成在半导体衬底上，用于检测激光注入攻击，所述集成电路包括：第一扩散区，在所述半导体衬底中，所述第一扩散区形成第一晶体管的第一区；以及第二扩散区，在所述半导体衬底中，所述第二扩散区形成第二晶体管的第二区，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管被实施为锁存电路的一部分，所述锁存电路处在第一逻辑电平，且在所述激光注入攻击期间响应于第一电荷或第二电荷而改变到不同于所述第一逻辑电平的第二逻辑电平，通过所述第一扩散区，所述第一电荷由所述半导体衬底接受或向所述半导体衬底捐献，且所述第二电荷捐献至所述半导体衬底或由所述半导体衬底接受。
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