[发明专利]一种聚酰亚胺涂层的返工方法有效

专利信息
申请号: 201510309037.7 申请日: 2015-06-07
公开(公告)号: CN105047531B 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 黄冲;李志国;徐杰;凌松;戴敏洁 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/033;H01L21/48
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种聚酰亚胺涂层的返工方法,包括:步骤S1:对通过第一掩模板所制备的具有第一关键尺寸之焊盘开口表面的聚酰亚胺涂层进行剥离;步骤S2:对已剥离聚酰亚胺涂层之晶圆进行清洗;步骤S3:在晶圆表面涂布聚酰亚胺材料;步骤S4:在聚酰亚胺材料上涂布光刻胶,并以第二掩模板进行曝光和显影,且通过第二掩模板所制备的焊盘开口之第二关键尺寸大于通过第一掩模板所制备的焊盘开口之第一关键尺寸。本发明聚酰亚胺涂层的返工方法不仅将焊盘开口的关键尺寸进行放大,增加工艺窗口,有效的解决了二次显影导致的漂移叠差,而且避免了焊盘开口处聚酰亚胺涂层残留,提高产品良率。
搜索关键词: 聚酰亚胺涂层 焊盘开口 掩模板 返工 制备 聚酰亚胺材料 显影 剥离 漂移 产品良率 工艺窗口 晶圆表面 光刻胶 晶圆 清洗 残留 放大 曝光
【主权项】:
1.一种聚酰亚胺涂层的返工方法,其特征在于,所述聚酰亚胺涂层的返工方法,包括:执行步骤S1:制备焊盘,所述焊盘的制备方法包括:执行步骤S11:在已形成半导体器件的其他构件之晶圆上形成金属焊垫;执行步骤S12:在所述金属焊垫上设置焊垫氧化物层和聚酰亚胺涂层;执行步骤S13:对所述焊垫氧化物层和所述聚酰亚胺涂层通过第一掩模板制备具有第一关键尺寸之焊盘开口,且所述聚酰亚胺涂层与所述焊垫氧化物层具有漂移叠差;并对所述聚酰亚胺涂层进行剥离;执行步骤S2:对已剥离聚酰亚胺涂层之晶圆进行清洗;执行步骤S3:在晶圆表面涂布聚酰亚胺材料;执行步骤S4:在聚酰亚胺材料上涂布光刻胶,并以第二掩模板进行曝光和显影,且通过所述第二掩模板所制备的焊盘开口之第二关键尺寸大于通过所述第一掩模板所制备的焊盘开口之第一关键尺寸,以解决所述聚酰亚胺涂层与所述焊垫氧化物层之间的漂移叠差;执行步骤S5:固化晶圆表面之聚酰亚胺涂层。
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