[发明专利]一种聚酰亚胺涂层的返工方法

权利要求书

1.一种聚酰亚胺涂层的返工方法，其特征在于，所述聚酰亚胺涂层的返工方法，包括：

执行步骤S1：制备焊盘，所述焊盘的制备方法包括：

执行步骤S11：在已形成半导体器件的其他构件之晶圆上形成金属焊垫；

执行步骤S12：在所述金属焊垫上设置焊垫氧化物层和聚酰亚胺涂层；

执行步骤S13：对所述焊垫氧化物层和所述聚酰亚胺涂层通过第一掩模板制备具有第一关键尺寸之焊盘开口，且所述聚酰亚胺涂层与所述焊垫氧化物层具有漂移叠差；并对所述聚酰亚胺涂层进行剥离；

执行步骤S2：对已剥离聚酰亚胺涂层之晶圆进行清洗；

执行步骤S3：在晶圆表面涂布聚酰亚胺材料；

执行步骤S4：在聚酰亚胺材料上涂布光刻胶，并以第二掩模板进行曝光和显影，且通过所述第二掩模板所制备的焊盘开口之第二关键尺寸大于通过所述第一掩模板所制备的焊盘开口之第一关键尺寸，以解决所述聚酰亚胺涂层与所述焊垫氧化物层之间的漂移叠差；

执行步骤S5：固化晶圆表面之聚酰亚胺涂层。

2.如权利要求1所述的聚酰亚胺涂层的返工方法，其特征在于，所述第二掩模板所制备的焊盘开口之第二关键尺寸X₂大于通过所述第一掩模板所制备的焊盘开口之第一关键尺寸X₁，1μm＜X₂-X₁＜1000μm。

3.如权利要求1所述的聚酰亚胺涂层的返工方法，其特征在于，所述固化的温度为200～800℃，所述固化的时间为10～360min。

4.如权利要求1所述的聚酰亚胺涂层的返工方法，其特征在于，所述聚酰亚胺材料旋涂、烘烤后的薄膜厚度为1～50μm，所述烘烤温度为50～800℃，烘烤时间为30s～6h。

5.如权利要求1所述的聚酰亚胺涂层的返工方法，其特征在于，所述步骤S1执行前，所述晶圆上的顶层金属铝线已经形成，或者所述晶圆上的顶层金属铝线以及介质膜钝化层的图形已经形成。

6.如权利要求5所述的聚酰亚胺涂层的返工方法，其特征在于，通过所述第一掩模板制备具有第一关键尺寸之焊盘开口时，所述聚酰亚胺涂层和所述焊垫氧化物层在显影过程中，因漂移导致的叠差X＜0.5μm。

7.如权利要求5所述的聚酰亚胺涂层的返工方法，其特征在于，所述焊垫氧化物层为二氧化硅层或者氮氧化硅层。