[发明专利]在半导体装置上形成替代栅极结构的方法有效
| 申请号： | 201510299742.3 | 申请日： | 2015-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN105280500B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 刘兵武;臧辉 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明公开一种在半导体装置上形成替代栅极结构的方法,其包括：除其它以外，围绕鳍片形成鳍片保护层；在该鳍片保护层的部分上方形成牺牲栅极电极；邻近该牺牲栅极电极形成至少一个侧间隙壁；移除该牺牲栅极电极以定义栅极开口，该栅极开口暴露该鳍片保护层的部分；氧化该鳍片保护层的至少该暴露部分，从而形成该鳍片保护层的氧化部分；以及移除该鳍片保护层的该氧化部分，从而暴露该栅极开口内的该鳍片的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 替代 栅极 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路的方法，该方法包括：在半导体衬底中形成鳍片；围绕该鳍片形成鳍片保护层；在该鳍片保护层的部分上方形成牺牲栅极电极；邻近该牺牲栅极电极形成至少一个侧间隙壁；移除该牺牲栅极电极，以定义栅极开口，该栅极开口暴露该鳍片保护层的部分；氧化该鳍片保护层的至少该暴露部分，从而形成该鳍片保护层的氧化部分；以及移除该鳍片保护层的该氧化部分，从而暴露该栅极开口内的该鳍片的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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