[发明专利]在半导体装置上形成替代栅极结构的方法

权利要求书

1.一种制造集成电路的方法，该方法包括：

在半导体衬底中形成鳍片；

围绕该鳍片形成鳍片保护层；

在该鳍片保护层的部分上方形成牺牲栅极电极；

邻近该牺牲栅极电极形成至少一个侧间隙壁；

移除该牺牲栅极电极，以定义栅极开口，该栅极开口暴露该鳍片保护层的部分；

氧化该鳍片保护层的至少该暴露部分，从而形成该鳍片保护层的氧化部分；以及

移除该鳍片保护层的该氧化部分，从而暴露该栅极开口内的该鳍片的表面。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该至少一个侧间隙壁包括：

邻近该牺牲栅极电极形成第一侧间隙壁；以及

邻近该第一侧间隙壁形成第二侧间隙壁。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该第一侧间隙壁由二氧化硅组成，且该第二侧间隙壁由氮化硅组成。

4.如权利要求1所述的方法，还包括：

在该栅极开口中形成替代栅极结构；以及

在该替代栅极结构上方形成栅极覆盖层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，该替代栅极结构由至少一个金属层以及一个高k栅极绝缘层组成。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

执行氧化制程，以在该栅极开口内的该鳍片的该暴露表面上形成氧化物层；

移除该氧化物层；

在移除该氧化物层以后，在该栅极开口内的该鳍片上方形成替代栅极结构；以及

在该替代栅极结构上方形成栅极覆盖层。

7.一种制造集成电路的方法，该方法包括：

在半导体衬底中形成鳍片；

围绕该鳍片形成鳍片保护层；

在该鳍片保护层的部分上方形成牺牲栅极电极；

邻近该牺牲栅极电极形成第一侧间隙壁；

邻近该第一侧间隙壁形成第二侧间隙壁；

移除该牺牲栅极电极，以定义由该第一侧间隙壁定义的栅极开口，该栅极开口暴露该鳍片保护层的部分；

氧化该鳍片保护层的至少该暴露部分，从而形成该鳍片保护层的氧化部分；

移除该第一侧间隙壁以及该鳍片保护层的该氧化部分，从而暴露该栅极开口内的该鳍片的表面；

执行氧化制程，以在该鳍片的该暴露表面上形成氧化物层；

移除该氧化物层；

在移除该氧化物层以后，在该栅极开口内的该鳍片上方形成替代栅极结构；以及

在该替代栅极结构上方形成栅极覆盖层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，该第一侧间隙壁由二氧化硅组成，且该第二侧间隙壁由氮化硅组成。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，该替代栅极结构由至少一个金属层以及一个高k栅极绝缘层组成。

10.一种制造集成电路的方法，该方法包括：

在半导体衬底中形成鳍片；

围绕该鳍片形成鳍片保护层；

在该鳍片保护层的部分上方形成牺牲栅极电极；

邻近该牺牲栅极电极形成第一侧间隙壁；

邻近该第一侧间隙壁形成第二侧间隙壁；

移除该牺牲栅极电极，以定义由该第一侧间隙壁定义的栅极开口，该栅极开口暴露该鳍片保护层的部分；

氧化该鳍片保护层的至少该暴露部分，从而形成该鳍片保护层的氧化部分；

移除该第一侧间隙壁以及该鳍片保护层的该氧化部分，从而暴露该栅极开口内的该鳍片的表面；

在该栅极开口内的该鳍片上方形成栅极结构；以及

在该栅极结构上方形成栅极覆盖层。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，该栅极结构由至少一个金属层以及高k栅极绝缘层组成。