[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置在审
| 申请号： | 201510289827.3 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104952932A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 王玉亮;崔大永;刘增利;李道杰;艾飞;周俊 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 230011 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，所述薄膜晶体管的源电极和漏电极为包括金属层和金属阻挡层的多层结构，所述薄膜晶体管的非晶硅有源层上覆盖有刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层对应所述源电极和漏电极的位置设置有贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔，所述源电极和漏电极分别通过所述过孔与所述非晶硅有源层连接。本发明的技术方案能够在对半导体层上的金属阻挡层进行刻蚀时，防止刻蚀液对半导体层的性能产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源电极和漏电极为包括金属层和金属阻挡层的多层结构，其特征在于，所述薄膜晶体管的非晶硅有源层上覆盖有刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层对应所述源电极和漏电极的位置设置有贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔，所述源电极和漏电极分别通过所述过孔与所述非晶硅有源层连接。
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