[发明专利]一种肖特基二极管及制作方法

摘要

本发明提供了一种肖特基二极管及制作方法，其中，肖特基二极管的制作方法包括：制成N型重掺杂衬底；在N型重掺杂衬底的一侧上依次制作M层掺杂浓度不同的N型外延层，其中，与N型重掺杂衬底相接触的为第一个N型外延层，距离N型重掺杂衬底最远的为第M个N型外延层，第一个N型外延层至第M－1个N型外延层的掺杂浓度依次增大，第M个N型外延层的掺杂浓度低于或等于第一个N型外延层的掺杂浓度，M为大于等于3的正整数；在N型外延层的基础上依次制作多晶硅层、接触层和金属层。本发明使得肖特基二极管中两个沟槽中线位置处电场均匀，并且使得沟槽底部及侧壁不会提前击穿，提高了肖特基二极管的耐压性能。

主权项

1.一种肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：制成N型重掺杂衬底；在所述N型重掺杂衬底的一侧上依次制作M层掺杂浓度不同的N型外延层，其中，与所述N型重掺杂衬底相接触的为第一个N型外延层，距离所述N型重掺杂衬底最远的为第M个N型外延层，所述第一个N型外延层至第M－1个N型外延层的掺杂浓度依次增大，所述第M个N型外延层的掺杂浓度低于或等于所述第一个N型外延层的掺杂浓度，M为大于等于3的正整数；在N型外延层的基础上依次制作多晶硅层、接触层和金属层；其中，在N型外延层的基础上制作多晶硅层的步骤包括：对所述第M个N型外延层做沟槽刻蚀处理，形成沟槽，所述沟槽的底部延伸至所述第一个N型外延层内；在所述第M个N型外延层的表面和所述沟槽的表面形成栅极氧化层；在所述栅极氧化层上沉淀一层多晶硅并在所述沟槽内填满多晶硅；做多晶硅淀积及回刻处理，形成多晶硅层。