[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201510274780.3 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN106298470B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成若干分立的半导体层；在所述半导体层侧壁表面形成隔离层；形成覆盖于所述半导体层顶部表面的含碳材料层；对所述含碳材料层以及半导体层进行退火处理，在所述半导体层顶部表面形成石墨烯层；在所述退火处理之后，去除所述含碳材料层。本发明形成的石墨烯层位置精确度高且质量好，石墨烯层仅覆盖于半导体层顶部表面，避免在半导体层侧壁表面生长石墨烯，从而提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成若干分立的半导体层；在所述半导体层侧壁表面形成隔离层；形成覆盖于所述半导体层顶部表面的含碳材料层；对所述含碳材料层以及半导体层进行退火处理，在所述半导体层顶部表面形成石墨烯层；在所述退火处理之后，去除所述含碳材料层；其中，所述退火处理包括依次进行的升温过程、保温过程以及降温过程；在所述升温过程以及保温过程中，碳原子从所述含碳材料层中分解出；在所述保温过程中，所述半导体层顶部表面处于熔融状态，所述处于熔融状态的半导体层顶部表面吸收所述分解出的碳原子；在所述降温过程中，所述碳原子从半导体层顶部表面析出，析出的碳原子在半导体层顶部表面凝聚成核，在所述半导体层顶部表面形成石墨烯层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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