[发明专利]一种具有含铟导电层的发光二极管结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510271884.9 | 申请日： | 2015-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN104979445A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 徐明升;王洪;周泉斌 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有含铟导电层的发光二极管结构及其制备方法。发光二极管结构包括蓝宝石衬底、GaN成核层、非故意掺杂GaN层、N型GaN导电层、In组分渐变层、N型InGaN导电层、多量子阱有源区和P型InGaN导电层。本发明采用InGaN代替传统的GaN作为N型和P型导电层，可以大大减小金属-GaN接触势垒高度，降低GaN基LED的工作电压，提高其流明效率。另外采用InGaN作为N型导电层和量子阱势垒层，可以使势垒层的晶格常数更接近势阱层的晶格常数，晶格失配度减小，可以改善量子阱的晶体质量，减小量子阱两侧的极化电荷密度，提高GaN基LED的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 导电 发光二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有含铟导电层的发光二极管结构，包括衬底、GaN缓冲层、N型导电层、多量子阱有源区和P型导电层，其特征在于所述N型导电层、多量子阱有源区及P型导电层为含In的InGaN材料，多量子阱有源区包括若干周期交替排列的InGaN多量子阱势阱层和InGaN多量子阱势垒层，所述N型导电层为N型InGaN导电层。
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