[发明专利]半导体器件及其制备方法和电子装置有效
| 申请号： | 201510270513.9 | 申请日： | 2015-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN106298966B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 施森华;胡王凯 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底；使用第一光罩进行第一离子注入，以在所述半导体衬底内形成具有第一导电类型的第一阱区；使用第二光罩进行第二离子注入，以在所述半导体衬底内形成具有第一导电类型的第二阱区；在所述第一阱区内形成第二导电类型的第一扩散区；在所述第二阱区内形成第一导电类型的第二扩散区，其中所述第二阱区位于所述第一阱区的外侧，所述第一阱区内的第一导电类型的离子浓度低于所述第二阱区内的第一导电类型的离子浓度。本发明还包括所述方法制备得到的半导体器件和电子装置。与现有技术相比，根据本发明的制作方法所制备的半导体二极管器件及其电子装置能够提高ESD电压耐受及电流耐受能力，并且有效地减少漏电，提高器件的ESD性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤1：提供半导体衬底；步骤2：使用第一光罩进行第一离子注入，以在所述半导体衬底内形成具有第一导电类型的第一阱区；步骤3：使用第二光罩进行第二离子注入，以在所述半导体衬底内形成具有第一导电类型的第二阱区；步骤4：在所述第一阱区内形成第二导电类型的第一扩散区；步骤5：在所述第二阱区内形成第一导电类型的第二扩散区，其中所述第二阱区位于所述第一阱区的外侧，所述第一阱区内的第一导电类型的离子浓度低于所述第二阱区内的第一导电类型的离子浓度。
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