[发明专利]一种半导体结装置有效
| 申请号： | 201510267544.9 | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN106298974B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结装置，在耗尽层中垂直半导体结方向上设置有交替排列的不同导电半导体材料，耗尽层中的电场形成具有一定起伏的分布；具有一定起伏的电场分布的结构说明可以设置高浓度杂质掺杂的耗尽层，因此本发明的半导体结装置具有低的正向导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结装置，其特征在于：包括：衬底层，为第二导电半导体材料构成；漂移层，为条形第二导电半导体材料和条形第一导电半导体材料交替排列构成，位于衬底层之上；耗尽层，为一个漂移层或多个漂移层上下叠加形成，不同漂移层中条形第一导电半导体材料依次互折相连；半导体结，为PN结或肖特基势垒结，位于耗尽层上表面；漂移层中条形第一导电半导体材料与半导体结倾斜不垂直；漂移层中条形第二导电半导体材料与半导体结倾斜不垂直；漂移层中交替排列的条形第一导电半导体材料在垂直半导体结上下方向上的投影，完全覆盖左相邻条形第一导电半导体材料顶部和右相邻条形第一导电半导体材料底部；漂移层中交替排列的条形第二导电半导体材料在垂直半导体结上下方向上的投影，完全覆盖左相邻条形第二导电半导体材料顶部和右相邻条形第二导电半导体材料底部；耗尽层中条形第一导电半导体材料在垂直半导体结方向上的投影完全覆盖半导体结；耗尽层中在垂直半导体结方向上设置有第二导电半导体材料和第一导电半导体材料交替排列结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朱江，未经朱江许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510267544.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
