[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510266211.4 | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105280761B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 千大明;延智慧;许在赫;琴现圣;成汉珪;崔荣进 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22;H01L33/24;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 张帆,井杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于制造半导体发光器件的方法，该方法可包括步骤形成具有暴露出基本层的一些部分的多个开口的掩模层和模型层；形成多个第一导电类型的半导体芯，每个第一导电类型的半导体芯包括从基本层延伸穿过每个开口的主体部分和设置在主体部分上并具有圆锥形状的末端部分；以及在所述多个第一导电类型的半导体芯中的每一个上形成有源层和第二导电类型的半导体层。形成所述多个第一导电类型的半导体芯的步骤可包括步骤形成第一区域，以使得末端部分的顶点位于主体部分的中心竖直轴线上；去除模型层；以及在第一区域上形成额外生长区域，以使得主体部分具有六棱柱形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体发光器件的方法，该方法包括步骤：在衬底上形成具有第一导电类型的半导体的基本层；在基本层上形成具有暴露出基本层的一些部分的多个开口的掩模层和模型层；形成多个第一导电类型的半导体芯，每个第一导电类型的半导体芯包括从基本层延伸穿过每个开口的主体部分和设置在主体部分上并具有圆锥形状的末端部分；以及在所述多个第一导电类型的半导体芯中的每一个上按次序形成有源层和第二导电类型的半导体层，其中，形成所述多个第一导电类型的半导体芯的步骤包括步骤：形成第一区域，以使得末端部分的顶点位于主体部分的中心竖直轴线上；去除模型层；以及在第一区域上形成额外生长区域，以使得主体部分具有六棱柱形状。
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