[发明专利]超结MOSFET器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201510257072.9 | 申请日： | 2015-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN106298866A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 张洋,黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超结MOSFET器件及其制造方法，包括：外延层、位于所述外延层中的器件区和位于所述器件区外围的终端结构；其中，所述终端结构包括：位于所述器件区的外围，且位于所述外延层的表面内的多个掺杂区，所述多个掺杂区的导电类型与所述外延层的导电类型不同，所述多个掺杂区的深度从靠近所述器件区的区域向外围区域递减；覆盖所述终端结构表面的氧化层；覆盖所述氧化层表面的介质层。通过本发明提供的方案，在保证器件区耐压的同时，节省终端结构的尺寸，更好的优化器件终端结构的电势分布，有效降低峰值电场强度，提高器件终端的耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超结MOSFET器件，其特征在于，包括：外延层、位于所述外延层中的器件区和位于所述器件区外围的终端结构；其中，所述终端结构包括：位于所述器件区的外围，且位于所述外延层的表面内的多个掺杂区，所述多个掺杂区的导电类型与所述外延层的导电类型不同，所述多个掺杂区的深度从靠近所述器件区的区域向外围区域递减；覆盖所述终端结构表面的氧化层；覆盖所述氧化层表面的介质层。
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