[发明专利]一种功率模块和制造功率模块过程中控制焊料厚度的方法在审
申请号: | 201510225879.4 | 申请日: | 2015-05-06 |
公开(公告)号: | CN104900602A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 蒋静超 | 申请(专利权)人: | 嘉兴斯达微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/14 | 分类号: | H01L23/14;H01L23/13;H01L21/50 |
代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人: | 翁霁明 |
地址: | 314006 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种功率模块,它主要包括:半导体芯片,绝缘基板,散热基板,所述绝缘基板的上下面分别设置有第一金属化层和第二金属化层,一个或多个半导体芯片焊接至绝缘基板的第一金属化层上,所述的绝缘基板通过第二金属化层焊接至带有金属线或金属带的散热基板上;所述的方法包括:将一个或多个半导体芯片焊接至绝缘基板的第一金属化层,焊接后的整体绝缘基板通过焊料将第二金属化层焊接至带有金属线或金属带的散热基板上,金属线或金属带阻止熔化的焊料在垂直方向因受到压力而不受控制的铺展,起到有效控制焊料层厚度而提高模块可靠性的作用;它具有结构组成合理,方法精度高,操作方便,且实施位置调整灵活便捷,在低成本下提高产品可靠性等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 模块 制造 过程 控制 焊料 厚度 方法 | ||
【主权项】:
一种功率模块,它主要包括:半导体芯片,绝缘基板,散热基板,其特征在于所述绝缘基板的上下面分别设置有第一金属化层和第二金属化层,一个或多个半导体芯片焊接至绝缘基板的第一金属化层上,所述的绝缘基板通过第二金属化层焊接至带有金属线或金属带的散热基板上。
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