[发明专利]非易失性半导体存储装置与写入方法

摘要

本发明涉及一种非易失性半导体存储装置与写入方法。该非易失性半导体存储装置包括控制处理器、写入控制器、电压产生电路以及切换电路。控制处理器用以产生并输出一控制数据并且实施一程序码以写入数据，其中数据包括一字线指定指令以及一电压源指定数据。写入控制器用以解码控制数据并且产生字线指定指令的一控制信号以及电压源指定数据的一控制信号。电压产生电路用以产生写入数据的多个电压。切换电路用以依据字线指定指令的控制信号以及电压源指定数据的控制信号，选择多个电压之中对应电压源指定数据的一电压，并且对应字线指定指令输出选择的电压。

主权项

1.一种非易失性半导体存储装置，用以借助施加一预定电压以实施一数据的写入并且指定一字线至一非易失性存储单元阵列，包括：一控制处理器，用以产生并输出一控制数据并且实施一程序码以写入该数据，其中该数据包括一字线指定指令以及一电压源指定数据；一写入控制器，用以解码该控制数据并且产生该字线指定指令的一控制信号以及该电压源指定数据的一控制信号；一电压产生电路，用以产生写入该数据的多个电压；以及一切换电路，用以依据该字线指定指令的该控制信号以及该电压源指定数据的该控制信号，选择该多个电压之中对应该电压源指定数据的一电压，并且对应该字线指定指令输出选择的该电压，其中该切换电路包括多个暂存器，这些暂存器分别对应多个字线，并且对应该字线指定指令的该控制信号而暂时储存该字线指定数据，以及该切换电路包括多个切换器，该多个切换器分别对应该多个暂存器，并且在来自该电压产生电路的多个电压之中，依据来自对应暂存器的该控制信号而操作，并且对应该电压源指定数据而选择与输出该电压。