[发明专利]紫外半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510219302.2 | 申请日： | 2015-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN104810455B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 周玉刚;余显正;张荣 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种紫外半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件包括主要由n型层、量子阱层和p型层组成的外延结构层以及p型、n型电极，所述p型层上还依次设有石墨烯‑Ag纳米复合层和导电反射层，所述石墨烯‑Ag纳米复合层与p型层形成欧姆接触。进一步的，所述石墨烯‑Ag纳米复合层包括形成于p型层上的Ag纳米材料层，所述Ag纳米材料层包含Ag纳米点和/或Ag纳米线以及覆盖在所述Ag纳米材料层上的石墨烯薄膜；或者，石墨烯量子点负载Ag纳米粒子复合体层。本发明的半导体发光器件具有外部量子效率高、出光效率高、开启电压低、散热性好、稳定性高等优点，且制备工艺简单可控，成本低廉，适于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种紫外半导体发光器件，包括主要由n型层、量子阱层和p型层组成的外延结构层以及p型、n型电极，其特征在于所述p型层上还依次设有石墨烯‑Ag纳米复合层和导电反射层，所述石墨烯‑Ag纳米复合层与p型层形成欧姆接触。
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