[发明专利]紫外半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种紫外半导体发光器件，包括主要由n型层、量子阱层和p型层组成的外延结构层以及p型、n型电极，其特征在于所述p型层上还依次设有石墨烯-Ag纳米复合层和导电反射层，所述石墨烯-Ag纳米复合层与p型层形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的紫外半导体发光器件，其特征在于所述石墨烯-Ag纳米复合层包括：

形成于p型层上的Ag纳米材料层，以及，覆盖在所述Ag纳米材料层上的石墨烯薄膜，所述Ag纳米材料层包含Ag纳米点和/或Ag纳米线；

或者，石墨烯量子点负载Ag纳米粒子复合体层。

3.根据权利要求2所述的紫外半导体发光器件，其特征在于所述Ag纳米点的粒径为10nm～1μm，所述Ag纳米线的直径为5～100nm、长度为5～100μm，所述石墨烯量子点负载Ag纳米粒子复合体的粒径为5～100nm。

4.根据权利要求2或3所述的紫外半导体发光器件，其特征在于所述Ag纳米材料层与石墨烯薄膜之间还形成有中间层，

或者，所述石墨烯-Ag纳米复合层上依次形成有中间层和导电反射层。

5.根据权利要求1所述的紫外半导体发光器件，其特征在于所述导电反射层厚度为0.1～3μm，并且所述导电反射层的材质包括Al。

6.根据权利要求4所述的紫外半导体发光器件，其特征在于所述中间层的材质包括Cr。

7.根据权利要求1所述的紫外半导体发光器件，其特征在于所述p型层的材质包括p-AlGaN。

8.根据权利要求1所述的紫外半导体发光器件，其特征在于所述半导体发光器件为倒装结构或垂直结构。

9.根据权利要求1-3、6-8中任一项所述的紫外半导体发光器件，其特征在于所述半导体发光器件为GaN基LED芯片。

10.一种制造权利要求1-9中任一项所述紫外半导体发光器件的方法，其特征在于包括：

在衬底上生长外延结构层；

对于所述外延结构层进行加工，并在n型层上形成n型电极，在p型层上形成石墨烯-Ag纳米复合层，且使石墨烯-Ag纳米复合层与p型层形成欧姆接触；

以及，在石墨烯-Ag纳米复合层上形成导电反射层，之后在导电反射层上制作p型电极。