[发明专利]形成具有纳米线的半导体结构的方法与该半导体结构

摘要

本发明涉及形成具有纳米线的半导体结构的方法与该半导体结构，具体地说，本发明所提供的形成纳米线的方法，首先先形成半导体鳍状结构具有交替的鳍以及浅沟槽隔离。接着移除鳍的顶面部以形成鳍凹部，并在鳍凹部中沉积锗基半导体以形成锗基插塞。后续，移除部分的浅沟槽隔离以暴露出锗基插塞的侧面，随即进行退火制程即可形成具有高载流子迁移率的纳米线结构。通过对锗基插塞选择性的氧化或沉积制程，本发明的纳米线结构还可以具有不同尺寸。此外，不同尺寸的纳米线也可通过形成不同宽度的鳍，或是不同宽度的鳍凹部来达成。

主权项

一种在半导体基底上形成纳米线的方法，包含：形成半导体鳍状结构，该半导体鳍状结构包含多个具有半导体材料的鳍，以及浅沟槽隔离设置在所述鳍之间；形成多个鳍凹部，包含移除所述鳍的上部分，以使各所述鳍的上表面低于该浅沟槽隔离的上表面；在各所述鳍凹部中形成锗基半导体材料，以形成多个锗基插塞；形成所述锗基插塞后，移除部分的该浅沟槽隔离的上部分，以暴露出所述锗基插塞的侧壁；以及进行退火制程，以使所述锗基插塞的周围形成氧化层，形成被该氧化层包覆的纳米线，并使该浅沟槽隔离的至少一部分形成绝缘层。