[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510212460.5 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN106206404B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 林心冠;李鸿志 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体元件的制造方法。首先，于阻障层上形成介电层。接着，于介电层中形成第一开口。第一开口裸露出部分阻障层。继而，于第一开口的底部的阻障层上形成保护层。保护层的中央部分的厚度大于边缘部分的厚度。然后，以保护层为掩模，移除部分阻障层，以形成第二开口。第二开口具有至少一个次开口，所述次开口位于邻近第二开口的侧壁的阻障层中。本发明另提供了一种由上述方法所工艺的半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：于一阻障层上形成一介电层；于该介电层中形成一第一开口，该第一开口裸露出部分该阻障层；于该第一开口的底部的该阻障层上形成一保护层，该保护层的中央部分的厚度大于边缘部分的厚度；以及以该保护层为掩模，移除部分该阻障层，以形成一第二开口，其中该第二开口具有至少一个次开口，该次开口位于邻近该第二开口的侧壁的该阻障层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
