[发明专利]一种晶圆级封装盖帽及其制作方法

摘要

本发明公开了一种晶圆级封装盖帽的制作方法，包括：提供第一晶片，第一晶片具有相对的第一表面和第二表面；在第一表面上形成与第二晶片上的器件结构对应的第一结构，并覆盖第一键合层；在第二表面上形成与第二晶片上的器件结构对应的第二结构；在第一键合层上键合第三晶片，并第三晶片减薄至预定厚度；在第一结构周围的第三晶片上形成第一键合环；刻蚀第三晶片，在第一键合环下形成框架，并去除覆盖第一结构的第一键合层。该方法减少第一晶片与第二晶片上对应结构的键合次数，工艺简单且易于集成，避免多次键合过程中造成的对准精度降低的问题。

主权项

一种晶圆级封装盖帽的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供第一晶片，第一晶片具有相对的第一表面和第二表面；在第一表面上形成与第二晶片上的器件结构对应的第一结构，并覆盖第一键合层，以及在第二表面上形成与第二晶片上的器件结构对应的第二结构；在第一键合层上键合第三晶片，并将第三晶片减薄至预定厚度；在第一结构周围的第三晶片上形成第一键合环；刻蚀第三晶片，在第一键合环下形成框架，并去除覆盖第一结构的第一键合层。