[发明专利]一种制备锌黄锡矿相铜锌锡硫半导体纳米晶的方法在审

专利信息
申请号: 201510205998.3 申请日: 2015-04-27
公开(公告)号: CN104876258A 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: 徐雪青;梁柱荣;安萍;徐刚 申请(专利权)人: 中国科学院广州能源研究所
主分类号: C01G19/00 分类号: C01G19/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 代理人: 蒋欢妹;莫瑶江
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种制备锌黄锡矿相铜锌锡硫半导体纳米晶的方法,该方法包括以下步骤:a、将铜盐、锌盐、锡盐与配位稳定剂混合,并溶解于非极性溶剂中,加入具有配位作用的硫源,在氮气保护下搅拌加热到150~300℃,维持反应1~120分钟;所述具有配位作用的硫源选自硫代乙酰胺、巯基乙胺或巯基烷酸中的任一种;b、步骤a所得溶液中加入乙醇,离心沉降,得到的沉淀经纯化洗涤得到目标产品。本发明所使用的硫源具有与金属离子配位的特点,在反应过程中形成双配位胶束,不仅能提高反应物的分散性,而且能有效地控制H2S的释放,以及铜锌锡硫纳米晶的成核与生长,所制备的铜锌锡硫纳米晶具有粒径小,粒径分布窄、结晶性好等特点。
搜索关键词: 一种 制备 锡矿 相铜锌锡硫 半导体 纳米 方法
【主权项】:
一种制备锌黄锡矿相铜锌锡硫半导体纳米晶的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:a、将铜盐、锌盐、锡盐与配位稳定剂混合,并溶解于非极性溶剂中,加入具有配位作用的硫源,在氮气保护下搅拌均匀,并加热到150~300℃,维持反应1~120分钟;其中铜盐浓度在0.01mol/L~0.1mol/L之间;铜、锌、锡、硫元素与配位稳定剂的摩尔比为2:1~1.25:1:4:60~600;所述具有配位作用的硫源选自硫代乙酰胺、巯基乙胺或巯基烷酸中的任一种;所述配位稳定剂选自烷基胺或者烷基羧酸;所述的烷基胺选自油胺、十二胺或十六胺;烷基羧酸选自油酸、十四烷酸或硬脂酸;b、步骤a所得溶液中加入乙醇,离心沉降,得到的沉淀经纯化洗涤3‑5次得到目标产品。
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