[发明专利]一种具有不等光电口径的垂直进光雪崩光电二极管

摘要

本发明提供一种具有不等光电口径的垂直进光雪崩光电二极管，包括衬底，顺序层叠于衬底上的吸收层、场控制层、本征层和介质钝化层，以及层叠于衬底下的N电极，部分本征层上设有具有边缘击穿抑制效果的P型重掺区，P型重掺区中心制作有中心突变结，介质钝化层上形成有光入射窗口，光入射窗口内设有增透膜，光入射窗口的周围环绕有P电极，中心突变结和光入射窗口同心且中心突变结的半径远小于光入射窗口的半径；若光从雪崩光电二极管芯片的背面入射，此时在N电极上形成光入射窗口。本发明提供的具有不等光电口径的垂直进光雪崩光电二极管，其光学口径大于电学口径，在能够保证入光效率的同时又能够减小有源区的尺寸，提高了APD的性能。

主权项

一种具有不等光电口径的垂直进光雪崩光电二极管，其特征在于，包括衬底，顺序层叠于所述衬底上的吸收层、场控制层、本征层和介质钝化层，以及层叠于所述衬底下的N电极，部分所述本征层上设有具有边缘击穿抑制效果的P型重掺区，所述P型重掺区中心制作有中心突变结，所述介质钝化层上形成有光入射窗口，所述光入射窗口内设有增透膜，所述光入射窗口的周围环绕有P电极，所述中心突变结和光入射窗口同心且中心突变结的半径远小于光入射窗口的半径；所述中心突变结的掺杂浓度高于所述P型重掺区的掺杂浓度。