[发明专利]3D闪存沟道的制造方法

摘要

本发明提出了一种3D闪存沟道的制造方法，在形成第一沟道介质层和沟道硅后，刻蚀减薄第一沟道介质层暴露出沟道硅的侧壁，接着在沟道硅的侧壁形成侧墙，并且侧墙的厚度大于第一沟道介质层的宽度，从而在后续进行刻蚀时由侧墙保护第一沟道介质层不被过刻蚀，避免第一沟道介质层过刻蚀引起的性能下降等问题，并且相比于现有技术还能够减少刻蚀光罩的使用，有利于进行大量生产。

主权项

一种3D闪存沟道的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括形成在基底上的绝缘层，形成在所述绝缘层内相互隔离的多层牺牲层及形成在绝缘层上的层间介质层，所述半导体结构设有沟道通孔，所述沟道通孔贯穿所述绝缘层、多层牺牲层和层间介质层；在所述沟道通孔中依次形成具有预定宽度的第一沟道介质层、沟道硅及第二沟道介质层，所述第一沟道介质层位于所述沟道两侧壁，所述沟道硅位于所述第一沟道介质层的两侧壁，所述第二沟道介质层位于所述沟道硅之间，并被所述沟道硅覆盖；刻蚀减薄所述层间介质层和第一沟道介质层，暴露出沟道硅的部分侧壁；在暴露出的沟道硅的两侧壁形成侧墙，所述侧墙的厚度大于所述第一沟道介质层的宽度。