[发明专利]一种稀土元素Sm掺杂GaN纳米线的制备方法

摘要

本发明公开了一种制备稀土元素Sm掺杂GaN纳米线的制备方法：本方法为化学气相沉积法制备稀土元素Sm掺杂GaN纳米线，反应系统主要有真空系统、气路系统和水平管式炉三部分组成，高纯Ga₂O₃粉、高纯Sm₂O₃、NH₃分别作为Ga源、Sm源和N源，称取一定比例的Ga₂O₃和Sm₂O₃粉体，研磨均匀混合后盛放到陶瓷舟中，一并置于炉管中央，同时下游低温区放置Si衬底，密封，将系统压强抽至1×10^-3Pa，通入Ar，加热至1100℃时，改通NH₃，保温2小时，将NH₃转换为Ar，冷却至室温，取出Si衬底封存。

主权项

一种稀土元素Sm掺杂GaN纳米线的制备方法，其特征在于通过以下工艺实现：利用化学气相沉积法制备了稀土元素Sm掺杂的GaN纳米线；采用高纯Ga₂O₃粉体和NH₃气分别作为Ga源和N源，高纯Sm₂O₃粉体作为Sm源；称取适量的Ga₂O₃和Sm₂O₃粉体，放置到玛瑙研钵中充分混合；将均匀混合后的粉体盛放到陶瓷舟中，并将其置于水平管式炉的中间部位，同时在据中心温区的下游20～25cm位置处放置Si衬底，密封水平管式炉；启动机械泵和分子泵对系统抽真空，将炉内真空度抽至1×10^‑3 Pa；通入Ar气，加热至1100摄氏度时，将Ar气换为150 sccm的NH₃气并保温2 h；然后停止加热，关掉氨气，通入氩气并冷却到室温；最后在Si衬底上收集一层沉积物；将样品封存备用。