[发明专利]一种稀土元素Sm掺杂GaN纳米线的制备方法

权利要求书

1.一种稀土元素Sm掺杂GaN纳米线的制备方法，其特征在于通过以下工艺实现：利用化学气相沉积法制备了稀土元素Sm掺杂的GaN纳米线；采用高纯Ga₂O₃粉体和NH₃气分别作为Ga源和N源，高纯Sm₂O₃粉体作为Sm源；称取适量的Ga₂O₃和Sm₂O₃粉体，放置到玛瑙研钵中充分混合；将均匀混合后的粉体盛放到陶瓷舟中，并将其置于水平管式炉的中间部位，同时在据中心温区的下游20～25cm位置处放置Si衬底，密封水平管式炉；启动机械泵和分子泵对系统抽真空，将炉内真空度抽至1×10^-3 Pa；通入Ar气，加热至1100摄氏度时，将Ar气换为150 sccm的NH₃气并保温2 h；然后停止加热，关掉氨气，通入氩气并冷却到室温；最后在Si衬底上收集一层沉积物；将样品封存备用。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所用Ga、N、Sm源分别为Ga₂O₃和NH₃气和Sm₂O₃。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，Si衬底位置位于中心温区下游20～25cm位置。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，系统真空抽至1×10^-3 Pa。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，加热温度为1100摄氏度，保温2小时。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所用的氨气气流速率为150 sccm。