[发明专利]掩模板及其制备方法、曝光设备在审

专利信息
申请号: 201510172699.4 申请日: 2015-04-13
公开(公告)号: CN104849966A 公开(公告)日: 2015-08-19
发明(设计)人: 王曼 申请(专利权)人: 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F1/00;H01L21/027
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 柴亮;张天舒
地址: 230012 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及一种掩模板及其制备方法、曝光设备。所述掩模板包括衬底基板,以及分别形成在所述衬底基板的上表面的第一掩模图案和形状在所述衬底基板的下表面的第二掩模图案;所述第一掩模图案包括透光区和不透光区,所述第二掩模图案包括透光区和不透光区,且所述第一掩模图案的透光区在所述第二掩模图案所在平面内的投影位于所述第二掩模图案的不透光区之外;所述第二掩模图案的不透光区能遮蔽在第一掩模图案处发生衍射的至少部分光线,避免其自第二掩模图案的透光区射出。上述掩模板可以使光刻胶的被曝光区域的图案更趋近掩模板上的图案,从而使显影后的图案更精细,有助于使曝光工艺更加精细化。
搜索关键词: 模板 及其 制备 方法 曝光 设备
【主权项】:
一种掩模板,其特征在于,包括衬底基板,以及分别形成在所述衬底基板的上表面的第一掩模图案和形成在所述衬底基板的下表面的第二掩模图案;所述第一掩模图案包括透光区和不透光区,所述第二掩模图案包括透光区和不透光区,且所述第一掩模图案的透光区在所述第二掩模图案所在平面内的投影位于所述第二掩模图案的不透光区之外;所述第二掩模图案的不透光区能遮蔽在第一掩模图案处发生衍射的至少部分光线,避免其自第二掩模图案的透光区射出。
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