[发明专利]掩模板及其制备方法、曝光设备

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种掩模板及其制备方法、曝光设备。

背景技术

在显示技术领域，通过光刻工艺制备显示装置中的薄膜晶体管、各种信号线、像素电极等结构。光刻工艺一般包括沉积→涂布光刻胶→曝光→显影→刻蚀→剥离剩余的光刻胶等步骤，其中，曝光通过曝光设备进行。

图1示出了现有的曝光设备所采用的掩模板，如图1所示，掩模板1包括衬底基板10，所述衬底基板10的一个面(如图1中衬底基板10的下表面)上形成有不透光层11，该不透光层11覆盖所述衬底基板10的部分区域，从而使所述掩模板1具有与不透光层11对应的不透光区a，以及与不透光层11未覆盖的区域对应的透光区b。在对光刻胶进行曝光工艺时，将掩模板1与涂布有光刻胶的基板间隔一定距离，由曝光设备中的光源发出光线，其中，部分光线穿过透光区b，照射在光刻胶上，将相应区域的光刻胶曝光。

在理想情况下，被曝光的光刻胶的区域应与透光区b完全一致，但由于光的衍射，在不透光区a所对应的部分区域，会有光线照射，且照射至其上的光线的强度足以将该区域的光刻胶曝光，从而如图1所示，光刻胶的实际曝光区会大于透光区b。具体地，当曝光工艺中使用的光刻胶为负性光刻胶时，曝光区对应图案线幅的宽度，曝光区较大会造成图案的线幅宽度无法更小(减小至透光区b的宽度)；当曝光工艺中使用的光刻胶为正性光刻胶时，曝光区对应图案的间隔宽度，曝光区较大会造成图案间隔宽度无法更小(减小至透光区b的宽度)。由此可知，上述掩模板不利于曝光工艺的精细化，从而限制显示装置中薄膜晶体管、各种信号线的细线化，不利于提高显示装置的像素密度。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种掩模板及其制备方法、曝光设备，其可以使光刻胶的被曝光区域的图案更趋近改善对掩模板上的图案，从而使显影后的图案更精细，有助于曝光工艺更加精细化。

为实现本发明的目的而提供一种掩模板，其包括衬底基板，以及分别形成在所述衬底基板的上表面的第一掩模图案和形成在所述衬底基板的下表面的第二掩模图案；所述第一掩模图案包括透光区和不透光区，所述第二掩模图案包括透光区和不透光区，且所述第一掩模图案的透光区在所述第二掩模图案所在平面内的投影位于所述第二掩模图案的不透光区之外；所述第二掩模图案的不透光区能遮蔽在第一掩模图案处发生衍射的至少部分光线，避免其自第二掩模图案的透光区射出。

其中，所述第一掩模图案的透光区在所述第二掩模图案所在平面内的投影与所述第二掩模图案的透光区重合。

其中，所述第一掩模图案、第二掩模图案均通过光刻工艺制备。

其中，所述第一掩模图案的不透光区不反光，或者，所述第二掩模图案的不透光区不反光。

进一步地，所述第一掩模图案的不透光区和第二掩模图案的不透光区均不反光。

其中，所述第一掩模图案的不透光区和第二掩模图案的不透光区的材料为金属氧化物。

进一步地，所述第一掩模图案的不透光区和第二掩模图案的不透光区的材料为氧化铬。

作为另一个技术方案，本发明还提供上述掩模板的制备方法，所述掩模板的制备方法包括：

在衬底基板的一侧表面制备第一掩模图案的步骤，所述第一掩模图案包括透光区和不透光区；

在衬底基板的与第一掩模图案所在面相对的另一侧表面制备第二掩模图案的步骤；所述第二掩模图案包括透光区和不透光区，且所述述第一掩模图案的透光区在所述第二掩模图案所在平面内的投影位于所述第二掩模图案的不透光区之外。

其中，所述第一掩模图案的透光区在所述第二掩模图案所在平面内的投影与所述第二掩模图案的透光区重合。

作为另一个技术方案，本发明还提供一种曝光设备，所述曝光设备采用本发明提供的上述掩模板。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的掩模板，其上表面设有第一掩模图案，下表面设有第二掩模图案，可以减少光刻胶的实际曝光区超出掩模板的透光区的幅度，从而可以使光刻胶的被曝光区域的图案更趋近掩模板上的图案，使显影后的图案更精细，有助于使曝光工艺更加精细化。

本发明提供的掩模板的制备方法，其制备出的掩模板可以减少光刻胶的实际曝光区超出掩模板的透光区的幅度，从而可以使光刻胶的被曝光区域的图案更趋近掩模板上的图案，使显影后的图案更精细，有助于使曝光工艺更加精细化。