[发明专利]掩模板及其制备方法、曝光设备在审
| 申请号： | 201510172699.4 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN104849966A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 王曼 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 230012 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 模板 及其 制备 方法 曝光 设备 | ||
1.一种掩模板，其特征在于，包括衬底基板，以及分别形成在所述衬底基板的上表面的第一掩模图案和形成在所述衬底基板的下表面的第二掩模图案；
所述第一掩模图案包括透光区和不透光区，所述第二掩模图案包括透光区和不透光区，且所述第一掩模图案的透光区在所述第二掩模图案所在平面内的投影位于所述第二掩模图案的不透光区之外；所述第二掩模图案的不透光区能遮蔽在第一掩模图案处发生衍射的至少部分光线，避免其自第二掩模图案的透光区射出。
2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一掩模图案的透光区在所述第二掩模图案所在平面内的投影与所述第二掩模图案的透光区重合。
3.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一掩模图案、第二掩模图案均通过光刻工艺制备。
4.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一掩模图案的不透光区不反光，或者，
所述第二掩模图案的不透光区不反光。
5.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一掩模图案的不透光区和第二掩模图案的不透光区均不反光。
6.根据权利要求1～5任意一项所述的掩模板，其特征在于，所述第一掩模图案的不透光区和第二掩模图案的不透光区的材料为金属氧化物。
7.根据权利要求6所述的掩模板，其特征在于，所述第一掩模图案的不透光区和第二掩模图案的不透光区的材料为氧化铬。
8.权利要求1～7任意一项所述的掩模板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板的一侧表面制备第一掩模图案的步骤，所述第一掩模图案包括透光区和不透光区；
在衬底基板的与第一掩模图案所在面相对的另一侧表面制备第二掩模图案的步骤；所述第二掩模图案包括透光区和不透光区，且所述述第一掩模图案的透光区在所述第二掩模图案所在平面内的投影位于所述第二掩模图案的不透光区之外。
9.根据权利要求8所述的掩模板的制备方法，其特征在于，所述第一掩模图案的透光区在所述第二掩模图案所在平面内的投影与所述第二掩模图案的透光区重合。
10.一种曝光设备，其特征在于，所述曝光设备采用权利要求1～7任意一项所述的掩模板。
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