[发明专利]有机半导体二维分子晶体材料的制备方法与应用有效
申请号: | 201510172669.3 | 申请日: | 2015-04-13 |
公开(公告)号: | CN106159092B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 胡文平;徐春晖;甄永刚;董焕丽;张小涛 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所 |
主分类号: | H01L51/30 | 分类号: | H01L51/30;H01L51/40;H01L51/46;H01L51/48;H01L51/54;H01L51/56;C07D495/04 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅;赵静 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种有机半导体二维分子晶体材料的制备方法与应用。制备包括:在水面滴注有机半导体化合物溶液,待溶剂挥发后,在水面上得到有机半导体二维分子晶体晶核;在水面上的所述有机半导体二维分子晶体晶核处继续滴注所述有机半导体化合物溶液,静置,在水面上得到所述有机半导体二维分子晶体材料。所述有机半导体二维分子晶体材料在制备场效应晶体管器件中的应用也属于发明的保护范围。本发明利用水面以及水面上预先形成的籽晶作为生长核心,经溶液自组装,在水面上生长出大面积的二维分子晶体结构,用这些二维分子晶体结构制备的场效应晶体管具有较高的载流子迁移率与较低的阈值电压。 | ||
搜索关键词: | 二维 有机半导体 分子晶体 水面 制备 有机半导体化合物 分子晶体结构 滴注 晶核 场效应晶体管器件 应用 场效应晶体管 载流子迁移率 溶剂挥发 预先形成 阈值电压 自组装 生长 籽晶 | ||
【主权项】:
1.一种制备有机半导体二维分子晶体材料的方法,包括下述步骤:1)在水面滴注有机半导体化合物溶液,待所述有机半导体化合物溶液中的溶剂挥发后,在水面上得到有机半导体二维分子晶体晶核,用于诱导有机半导体二维分子晶体进一步生长;2)在水面上的所述有机半导体二维分子晶体晶核处继续滴注所述有机半导体化合物溶液,静置,在水面上得到所述有机半导体二维分子晶体材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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