[发明专利]一种半导体引线框架的表面处理方法有效
| 申请号： | 201510167944.2 | 申请日： | 2015-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104900536B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 王锋涛;李南生;黄斌;夏超华 | 申请（专利权）人： | 四川金湾电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;C25D7/12;C25D3/38;C25D5/34;C25D5/48;C23C28/00 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人： | 胡林 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体引线框架的表面处理方法，依次包括超声波除油、电解除油、水洗、硫酸中和活化、水洗、电镀铜、水洗、酸中和、水洗、铜保护、水洗、热水洗和烘干，所述铜保护的具体工艺要求为将半导体引线框架导入保护液中浸泡已达到附上铜保护膜的目的，所述保护液的pH为5～7，温度为20～40℃，浸泡时间为10～20S，所述保护液包括如下成分烷基苯并咪唑9～15g/L；醋酸1～3g/L。本发明在铜表面层设置有一层有机保护层来代替隔膜层，并且在沾锡和焊铝线时，本保护层自然消除，达到保护又不影响焊接效果的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 引线 框架 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体引线框架的表面处理方法，其特征在于：依次包括超声波除油、电解除油、水洗、硫酸中和活化、水洗、电镀铜、水洗、酸中和、水洗、铜保护、水洗、热水洗和烘干，所述铜保护的具体工艺要求为：将半导体引线框架导入保护液中浸泡已达到附上铜保护膜的目的，所述保护液的pH为5～7，温度为20～40℃，浸泡时间为10～20S，所述保护液包括如下成分：烷基苯并咪唑：9～15g/L；醋酸：1～3g/L；所述超声波除油的具体工艺要求为：将半导体引线框架导入超声波脱脂剂中进行超声波除油，超声波脱脂剂的温度为50～60℃，超声波脱脂剂浓度为50～60g/L，超声波除油时间为10～20S；所述电解除油的具体工艺要求为：将半导体引线框架导入电解除油剂中进行电解除油，电解除油剂的温度为50～60℃，电解除油剂的浓度为50～60g/L，电解除油时间为10～20S。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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