[发明专利]一种负压式硅片制作设备及其控制方法有效
| 申请号： | 201510166783.5 | 申请日： | 2015-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN104818529B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 高文秀;李帅;赵百通 | 申请（专利权）人： | 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00;C30B28/06 |
| 代理公司： | 上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙)31290 | 代理人： | 金碎平,袁亚军 |
| 地址： | 214213 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种负压式硅片制作设备及其控制方法，包括炉体，所述炉体内设有用于盛放硅液的坩埚，所述坩埚的外侧周围设有加热器，所述坩埚的上方设有硅片提取单元，所述硅片提取单元包括可一起上下移动的冷却腔和扩容减压室，所述冷却腔伸入到扩容减压室中，所述扩容减压室的上端封闭，下端开口并在开口处设有耐温挂件，所述耐温挂件围绕在冷却腔的周围并伸出冷却腔的底部，所述冷却腔的外壁、扩容减压室的内壁以及硅液之间可形成密闭负压腔，所述炉体上设有硅片承接板，所述硅片承接板上设有高频感应线圈。本发明可实现由硅熔液直接形成硅片的过程，硅片厚度薄，重复性好，大大节省了硅材料及单个硅片的能耗，并降低硅太阳能电池成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 负压式 硅片 制作 设备 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种负压式硅片制作设备，包括炉体(15)，所述炉体(15)内设有用于盛放硅液(10)的坩埚(9)，所述坩埚(9)的外侧周围设有加热器(8)，所述坩埚(9)的上方设有硅片提取单元(16)，其特征在于，所述硅片提取单元(16)包括可一起上下移动的冷却腔(161)和扩容减压室(5)，所述冷却腔(161)伸入到扩容减压室(5)中，所述扩容减压室(5)的上端封闭，下端开口并在开口处设有耐温挂件(163)，所述耐温挂件(163)围绕在冷却腔(161)的周围并伸出冷却腔(161)的底部，所述冷却腔(161)的外壁、扩容减压室(5)的内壁以及硅液(10)之间可形成密闭负压腔，所述炉体(15)上设有硅片承接板(18)，所述硅片承接板(18)上设有高频感应线圈(7)。
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