[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201510131835.5 | 申请日： | 2015-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN104952482B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 佐野聪明;柴田健;田中信二;薮内诚;前田德章 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的各个实施例提供的半导体存储器件可以增加写入裕度并且抑制芯片面积的增加。该半导体存储器件包括：多个存储器单元，按矩阵布置；多个位线对，对应于存储器单元的每一列而布置；写入驱动器电路，其根据写入数据来将数据传输至所选列的位线对；以及写入辅助电路，其将在所选列的位线对中的在低电位侧上的位线驱动至负电压电平。该写入辅助电路包括：第一信号布线；第一驱动器电路，其根据控制信号来驱动第一信号布线；以及第二信号布线，其耦合至在低电位侧上的位线，并且基于与第一信号布线的接线间耦合电容、通过第一驱动器电路的驱动，来生成负电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：多个存储器单元，按矩阵布置；多个位线对，对应于所述存储器单元的每一列而布置；写入驱动器电路，可操作用于根据写入数据，来将数据传输至所选的列的位线对；以及写入辅助电路，可操作用于将在所述所选的列的位线对中的在低电位侧上的位线驱动至负电压电平，其中所述写入辅助电路包括：第一信号布线；第一驱动器电路，可操作用于根据控制信号，来驱动所述第一信号布线；以及第二信号布线，耦合至所述在低电位侧上的位线，并且可操作用于基于与所述第一信号布线的接线间耦合电容、通过所述第一驱动器电路的驱动，来生成所述负电压。
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