[发明专利]半导体存储器件有效

专利信息
申请号: 201510131835.5 申请日: 2015-03-24
公开(公告)号: CN104952482B 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 佐野聪明;柴田健;田中信二;薮内诚;前田德章 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 器件
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器件,包括:

多个存储器单元,按矩阵布置;

多个位线对,对应于所述存储器单元的每一列而布置;

写入驱动器电路,可操作用于根据写入数据,来将数据传输至所选的列的位线对;以及

写入辅助电路,可操作用于将在所述所选的列的位线对中的在低电位侧上的位线驱动至负电压电平,

其中所述写入辅助电路包括:

第一信号布线;

第一驱动器电路,可操作用于根据控制信号,来驱动所述第一信号布线;以及

第二信号布线,耦合至所述在低电位侧上的位线,并且可操作用于基于与所述第一信号布线的接线间耦合电容、通过所述第一驱动器电路的驱动,来生成所述负电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件,

其中每个所述存储器单元由第一电压和低于所述第一电压的第二电压来驱动,以便保持所述写入数据,

其中所述半导体存储器件进一步包括:

第一电压信号布线,可操作用于供应所述第一电压;以及

第二电压信号布线,可操作用于供应所述第二电压,并且

其中通过使用与比所述存储器单元布置得更靠上并且由其形成所述第一电压信号布线和所述第二电压信号布线的一个金属布线层相同的一个金属布线层,来形成所述第一信号布线和所述第二信号布线。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件,

其中所述第一信号布线和所述第二信号布线沿着与所述第一电压信号布线和所述第二电压信号布线相同的方向设置。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件,进一步包括:

多个第一字线和多个第二字线,分别对应于所述存储器单元的每一行而设置;以及

多个第一位线对和多个第二位线对,分别对应于所述存储器单元的每一列而设置,作为所述位线对,

其中每个所述存储器单元包括:

触发器电路,根据写入数据,分别地,可操作用于将第一存储器节点设置为第一电位电平和第二电位电平中的一个,并且可操作用于将第二存储器节点设置为所述第一电位电平和所述第二电位电平中的另一个;

第一栅极晶体管对,具有电耦合至对应的所述第一字线的栅极,并且可操作用于将对应的所述第一位线对与所述触发器电路电耦合;以及

第二栅极晶体管对,具有电耦合至对应的所述第二字线的栅极,并且可操作用于将对应的所述第二位线对与所述触发器电路电耦合,以及

其中所述写入辅助电路进一步包括:

接地电容元件,关于所述第二信号布线而设置,并且可操作用于使所述第二信号布线稳定化。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件,

其中所述接地电容元件由场效应晶体管形成。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件,

其中所述写入辅助电路进一步包括:

电容元件,在所述第一信号布线与所述第二信号布线之间设置。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件,

其中所述写入辅助电路对应于所述位线对而共用地设置。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件,

其中所述写入辅助电路进一步包括:

第二驱动器电路,在与在所述第一信号布线的一侧设置的所述第一驱动器电路相对的另一侧设置;以及

第三信号布线,可操作用于基于与所述第二信号布线的接线间耦合电容、通过所述第二驱动器电路的驱动,来生成所述负电压。

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