[发明专利]半导体薄膜生长反应腔辅助温度校准装置及校准方法有效
| 申请号： | 201510102391.2 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN104726841A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 桑云刚;黄文勇;马铁中 | 申请（专利权）人： | 北京智朗芯光科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/54 | 分类号： | C23C14/54;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 102206 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了半导体薄膜生长反应腔辅助温度校准装置及校准方法，属于半导体制造领域。该装置及方法能够将光源的光强调节到P0，由于P0对应的黑体炉靶心的温度为T0，因此，可以将光源等效为一个温度为T0的热辐射源，此时，由温度探测装置探测到的光源透过狭缝窗口后光线的光强的最大值P0＇等效为反应腔内温度T0时的热辐射强度。应用该反应腔辅助温度校准装置时，相当于在已知T0和P0＇的条件下，对反应腔的测温装置进行校准，其中，光源的发光体是宽光谱卤钨灯。该光源能够模拟温度为T0时的黑体辐射P0＇，为反应腔温度校准提供支持。此外，宽光谱卤钨灯光源能够实现高稳定功率输出，并能够提高校准稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 生长 反应 辅助 温度 校准 装置 方法 | ||
【主权项】：
半导体薄膜反应腔辅助温度校准装置，其特征在于，包括光强探测装置，光强调节装置和光源，所述光强探测装置用于探测黑体炉在靶心温度T0下所述黑体炉靶心的热辐射P0，以及所述光源的光强，所述光强调节装置用于对所述光源发出的光强进行调节，使得所述光源处于所述黑体炉靶心时，光强探测装置探测到的光强为P0，所述光源的光强调节完成后，所述辅助温度校准装置需要移至半导体薄膜反应腔的狭缝窗口底部并进行平移，由半导体薄膜反应腔的温度测量装置测量所述光源的最大光强P0＇；所述光源的发光体是宽光谱卤钨灯。
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