[发明专利]存储器结构及其制造方法

摘要

本发明公开了在此提供一种存储器结构及其制造方法。这种存储器结构包括一基板、多个叠层、多个存储器层、一导电材料及多个导线。叠层位于基板上。叠层通过多个沟槽彼此分离。叠层分别包括交替堆栈的多个导电串线及多个绝缘串线。存储器层分别共形覆盖叠层。导电材料位于沟槽中及叠层上。在沟槽中的导电材料在这些沟槽各者中形成一或多个孔洞。导线位于导电材料上。导线分别包括一第一部分及一第二部分，第一部分及第二部分彼此连接，第一部分沿着垂直于叠层的延伸方向的方向延伸，第二部分沿着叠层的延伸方向延伸。

主权项

1.一种存储器结构的制造方法，包括：在一基板上形成多个叠层，其中这些叠层通过多个沟槽彼此分离，且这些叠层分别包括交替堆栈的多个导电串线及多个绝缘串线；形成分别共形覆盖这些叠层的多个存储器层；在这些沟槽中及这些叠层上形成一导电材料，该导电材料具有一顶部部分；在这些沟槽各者中的该导电材料中形成一或多个孔洞；以及在该导电材料的该顶部部分定义分别用于形成多个导线的多个预定区，其中这些预定区分别包括一第一预定区及一第二预定区，该第一预定区及该第二预定区彼此连接，该第一预定区沿着垂直于这些叠层的一延伸方向的一方向延伸，该第二预定区沿着这些叠层的该延伸方向延伸；移除该导电材料的该顶部部分的未形成在这些预定区中的部分；以及在留在这些预定区中的该导电材料的该顶部部分上形成多个导线。