[发明专利]半导体发光元件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201510098499.9 申请日: 2015-03-05
公开(公告)号: CN105098010A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 三木聪;胜野弘;田岛纯平 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14;H01L33/38;H01L33/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的实施方式涉及一种半导体发光元件及其制造方法。实施方式的半导体发光元件包含积层体、第一电极、第二电极、及第一层。所述积层体包含:第一半导体层、第二半导体层、及发光层。所述第一半导体层具有第一导电型。所述第二半导体层具有第二导电型。所述发光层设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间。所述第一电极连接在所述第一半导体层。所述第一电极包含:线状部分、及转向部分。所述线状部分相连在所述转向部分。所述第二电极连接在所述第二半导体层。所述第一层设置在所述第一半导体层的一部分与所述第一电极的所述转向部分之间。
搜索关键词: 半导体 发光 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体发光元件,其特征在于包含:积层体,包含:第一导电型第一半导体层、第二导电型第二半导体层、及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层;第一电极,连接在所述第一半导体层,且包含:线状部分、及与所述线状部分相连的转向部分;第二电极,连接在所述第二半导体层;以及第一层,设置在所述第一半导体层的一部分与所述第一电极的所述转向部分之间。
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