[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201510098282.8 | 申请日： | 2015-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN105990161B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 黑勇旗;大久保忠宣 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;B29C43/18 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种可在压缩成形时使树脂不流动的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法包括如下步骤：将安装衬底安装在上模具，所述安装衬底包含导线键合后的半导体元件；将预成形的树脂配置在下模具内；在所述上模具与所述下模具之间形成模腔，且加热所述预成形的树脂；以及将所述上模具压抵在所述预成形的树脂而成形；并且所述预成形的树脂是：令在上述预成形的树脂的角部，与相对于所述模腔的外形线为接近的端部的距离为LA，在上述预成形的树脂的边部，与相对于所述模腔的外形线为与最远的中央部的距离为LB，那么距离LB形成为大于距离LA。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括如下步骤：将安装衬底安装在上模具，所述安装衬底包含导线键合后的半导体元件；将预成形的树脂配置在下模具内；在所述上模具与所述下模具之间形成模腔，且加热所述预成形的树脂；以及将所述上模具压抵在所述预成形的树脂而成形；并且所述预成形的树脂是：令在上述预成形的树脂的角部，相对于所述模腔的外形线为接近的端部与该外形线的距离为LA，在上述预成形的树脂的边部，相对于所述模腔的外形线为最远的中央部与该外形线的距离为LB，那么距离LB形成为大于距离LA。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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